Nd: YVO4 – Diode Pumped Solid-State Lasers
produkt Omskriuwing
Nd: YVO4 kin produsearje krêftige en stabile IR, griene, blauwe lasers mei it ûntwerp fan Nd: YVO4 en frekwinsje ferdûbeling kristallen.Foar de applikaasjes wêryn kompakter ûntwerp en de single-longitudinale-modusútfier nedich binne, toant Nd: YVO4 syn bysûndere foardielen boppe oare faak brûkte laserkristallen.
Foardielen fan Nd: YVO4
● Low lasing drompel en hege helling effisjinsje
● Grutte stimulearre útstjit dwerstrochsneed by lasing golflingte
● Hege absorption oer in breed pompende golflingte bânbreedte
● Optysk uniaxial en grutte dûbele breking emits polarized laser
● Lege ôfhinklikens fan pompen golflingte en tend to single modus útfier
Basis Eigenskippen
| Atoomdichtheid | ~1,37x1020 atomen/cm2 |
| Crystal Struktuer | Zirkoon tetragonaal, romtegroep D4h, a=b=7.118, c=6.293 |
| Tichtheid | 4,22 g/cm2 |
| Mohs hurdens | Glas-like, 4,6 ~ 5 |
| Termyske útwreiding Koëffisjint | αa=4.43x10-6/K, αc=11.37x10-6/K |
| Smeltpunt | 1810 ± 25 ℃ |
| Lasing golflingten | 914 nm, 1064 nm, 1342 nm |
| Thermal Optical Koëffisjint | dna/dT=8.5x10-6/K, dnc/dT=3.0x10-6/K |
| Stimulearre Emission Cross-Section | 25.0x10-19 cm2, @1064 nm |
| Fluorescent Lifetime | 90 ms (sawat 50 ms foar 2 atm% Nd doped) @808nm |
| Absorpsjonskoëffisjint | 31,4 cm-1 @ 808 nm |
| Absorption Lengte | 0,32 mm @ 808 nm |
| Yntrinsike ferlies | Minder 0,1% cm-1, @1064 nm |
| Gain Bânbreedte | 0,96 nm (257 GHz) @ 1064 nm |
| Polarisearre laser Emission | parallel oan optyske as (c-as) |
| Diode pompt Optical to Optical Effisjinsje | > 60% |
| Sellmeier-fergeliking (foar suvere YVO4-kristallen) | no2(λ) =3.77834+0.069736/(λ2 - 0.04724) - 0.0108133λ2 |
| no2(λ) =4.59905+0.110534/(λ2 - 0.04813) - 0.0122676λ2 |
Technyske parameters
| Nd dopant konsintraasje | 0,2 ~ 3 atm% |
| Dopant tolerânsje | binnen 10% fan konsintraasje |
| Lingte | 0.02 ~ 20 mm |
| Coating spesifikaasje | AR @ 1064nm, R< 0,1% & HT @ 808nm, T>95% |
| HR @ 1064nm, R>99.8% & HT@ 808nm, T>9% | |
| HR @ 1064nm, R>99.8%, HR @ 532 nm, R>99% & HT @ 808 nm, T>95% | |
| Oriïntaasje | a-cut kristallijne rjochting (+/-5 ℃) |
| Dimensionale tolerânsje | +/-0.1mm (typysk), Hege presyzje +/-0.005mm kin op oanfraach beskikber wêze. |
| Wavefront ferfoarming | <λ/8 op 633 nm |
| Oerflak kwaliteit | Better as 20/10 Scratch / Dig per MIL-O-1380A |
| Parallelisme | < 10 bôgesekonden |
Skriuw jo berjocht hjir en stjoer it nei ús
